ММБТ3904

НПН епитаксијални силицијум, планарни дизајн.
Напон колектора-емитера ВЦЕ=40В.
Струја колектора ИЦ=0.2А.
Transition frequency fT>300МХз @ ИЦ=10мАдц, ВЦЕ=20Вдц, ф=100МХз.
У складу са директивама ЕР РоХС 2002/95/ЕЦ.

Ćaskanje sada Pošalji upit

Opis

КАРАКТЕРИСТИКЕ

●NPN epitaxial silicon, planar design.

●Collector-emitter voltage VCE=40V.

●Collector current IC=0.2A.

●Transition frequency fT>300МХз @ ИЦ=10мАдц, ВЦЕ=20Вдц, ф=100МХз.

●In compliance with ER RoHS 2002/95/EC directives.